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　　专利摘要显示，本发明公开一种基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：（1）提供待减薄的晶圆；（2）采用减薄工艺对所述晶圆进行减薄至目标厚度；（3）在减薄后的晶圆表面形成氧化层并进行化学机械平坦化处理；（4）在平坦化的晶圆减薄面铺设硅烯层后进行退火处理；本发明在现有的减薄工艺方法基础上，将减薄至目标厚度的晶圆背面进行表面氧化和平坦化处理再铺设硅烯层进行退火以提高完成晶圆背面减薄工艺的晶圆背面的平整度。